SiCパワーデバイス「TED-MOS®」の物理モデルに基づく高自由度設計技術を開発
お客さまの幅広い用途に合わせた製品設計を可能とし、脱炭素社会実現に貢献
日立はこれまで、脱炭素社会の実現に向け、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)を用いた新構造パワーデバイス「TED-MOS®」*1を開発し、その耐久性と低消費電力特性の向上を進めてきました*2*3。今回、デバイスが短絡*4した際の破壊原因となる過電流について、その抑制機構に関する物理モデルを構築しました。さらに本物理モデルに基づき、「TED-MOS®」の構造的特長を生かした高自由度なデバイス設計技術を開発しました。これにより、シリコン系の材料を含めた従来型のパワーデバイスで課題とされていた、耐久性と低消費電力特性のトレード...
